型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7313PBF 双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新517410-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 21Milliohms; ID 36A; TO-220AB; PD 92W; gFS 36V11195-24￥4.549525-49￥4.212550-99￥3.9766100-499￥3.8755500-2499￥3.80812500-4999￥3.72395000-9999￥3.6902≥10000￥3.6396 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF16N25C, 15.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装697910-99￥11.0040100-499￥10.4538500-999￥10.08701000-1999￥10.06872000-4999￥9.99535000-7499￥9.90367500-9999￥9.8302≥10000￥9.7936 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。5070 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。440010-99￥10.1160100-499￥9.6102500-999￥9.27301000-1999￥9.25612000-4999￥9.18875000-7499￥9.10447500-9999￥9.0370≥10000￥9.0032 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF22P10, 9.3 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装349410-99￥6.9360100-499￥6.5892500-999￥6.35801000-1999￥6.34642000-4999￥6.30025000-7499￥6.24247500-9999￥6.1962≥10000￥6.1730 -
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品类: MOS管描述: N沟道 60V 48A190910-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube72925-49￥16.637450-199￥15.9264200-499￥15.5282500-999￥15.42871000-2499￥15.32922500-4999￥15.21545000-7499￥15.1443≥7500￥15.0732 -
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ44VZPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 57A TO-220AB370010-99￥7.1280100-499￥6.7716500-999￥6.53401000-1999￥6.52212000-4999￥6.47465000-7499￥6.41527500-9999￥6.3677≥10000￥6.3439 -
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品类: MOS管描述: TO247/MOSFET, 40V, 195A, 1.4MOHM, 300NC QG23725-49￥23.107550-199￥22.1200200-499￥21.5670500-999￥21.42881000-2499￥21.29052500-4999￥21.13255000-7499￥21.0338≥7500￥20.9350 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。75085-24￥3.348025-49￥3.100050-99￥2.9264100-499￥2.8520500-2499￥2.80242500-4999￥2.74045000-9999￥2.7156≥10000￥2.6784 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3652, 9 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装106210-99￥7.8240100-499￥7.4328500-999￥7.17201000-1999￥7.15902000-4999￥7.10685000-7499￥7.04167500-9999￥6.9894≥10000￥6.9634 -
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品类: MOS管描述: TO-220F N-CH 500V 22A73985-49￥13.174250-199￥12.6112200-499￥12.2959500-999￥12.21711000-2499￥12.13832500-4999￥12.04825000-7499￥11.9919≥7500￥11.9356 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube27745-24￥5.238025-49￥4.850050-99￥4.5784100-499￥4.4620500-2499￥4.38442500-4999￥4.28745000-9999￥4.2486≥10000￥4.1904 -
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品类: MOS管描述: N沟道 25V 81A759710-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube442110-99￥8.5320100-499￥8.1054500-999￥7.82101000-1999￥7.80682000-4999￥7.74995000-7499￥7.67887500-9999￥7.6219≥10000￥7.5935 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFR2607ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V69245-49￥14.742050-199￥14.1120200-499￥13.7592500-999￥13.67101000-2499￥13.58282500-4999￥13.48205000-7499￥13.4190≥7500￥13.3560 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R600E6XKSA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装88585-24￥3.159025-49￥2.925050-99￥2.7612100-499￥2.6910500-2499￥2.64422500-4999￥2.58575000-9999￥2.5623≥10000￥2.5272 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V640210-99￥9.9480100-499￥9.4506500-999￥9.11901000-1999￥9.10242000-4999￥9.03615000-7499￥8.95327500-9999￥8.8869≥10000￥8.8537 -
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品类: MOS管描述: N-CH 600V 16A97461-9￥57.474210-99￥54.1765100-249￥51.7268250-499￥51.3499500-999￥50.97301000-2499￥50.54902500-4999￥50.1722≥5000￥49.9366 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET50445-24￥4.455025-49￥4.125050-99￥3.8940100-499￥3.7950500-2499￥3.72902500-4999￥3.64655000-9999￥3.6135≥10000￥3.5640 -
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品类: MOS管描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET395610-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F102410-99￥8.4000100-499￥7.9800500-999￥7.70001000-1999￥7.68602000-4999￥7.63005000-7499￥7.56007500-9999￥7.5040≥10000￥7.4760 -
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品类: MOS管描述: FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220F40405-49￥16.883150-199￥16.1616200-499￥15.7576500-999￥15.65661000-2499￥15.55552500-4999￥15.44015000-7499￥15.3680≥7500￥15.2958 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装300710-99￥6.3720100-499￥6.0534500-999￥5.84101000-1999￥5.83042000-4999￥5.78795000-7499￥5.73487500-9999￥5.6923≥10000￥5.6711 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。866710-99￥8.5200100-499￥8.0940500-999￥7.81001000-1999￥7.79582000-4999￥7.73905000-7499￥7.66807500-9999￥7.6112≥10000￥7.5828 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。23685-24￥6.115525-49￥5.662550-99￥5.3454100-499￥5.2095500-2499￥5.11892500-4999￥5.00575000-9999￥4.9604≥10000￥4.8924
